В то время как компания Samsung связывала все с последними тенденциями флэш-памяти 3D NAND , давние её партнеры Intel и Micron недавно объявили результаты их сотрудничества, которые сулят не менее впечатляющие результаты.

Новая флэш – память 3D NAND от Intel

Как следует из названия, 3D NAND добавляет новое измерение к производству флэш-модулей. Путем укладки ячеек вертикально, плотность повышается, что позволяет получить дополнительную мощность в тех же размерах. Intel и Micron подтвердили этот процесс с помощью плавающего затвора ячейки в первый раз в производстве 3D NAND.

Требования компаний на результаты этого добавления впечатляют: твердотельные накопители размером с жевательную резинку, которые могут вместить до 3,5 терабайт данных, и 2,5-дюймовых SSD-накопителей, которые могут вместить 10 ТБ емкости. Как говорят компании Intel и Micron - их новый процесс улучшает мощность в три раза по сравнению с конкурирующими приложениями 3D NAND.

Компании Intel и Micron также говорят, что 256 Гб MLC флэш на основе своей технологии 3D NAND уже начала проводить отбор, с версии 384Gb ТСХ, начиная отбор проб в конце весны. В компании утверждают, что устройства, использующие эти модули, будут выпускаться в четвертом квартале, с отдельными дисками SSD, использующие технологии появившемся в следующем году.